Bonjour,
j'ai un problème de reconnaissance d'extension de RAM SAMSUNG DDR SDRAM 256 Mo (1 row-4banks) - 133 MHz - PC2100 en Cas 2.5 sur une carte mère Chaintech 7VIA1/7VIL1 (id : 09/19/2002-VT8366-8233/5-IA6LVC1CC-00) équipée d'origine d'une RAM NANYA DDR SDRAM 256 Mo (2 rows-4banks) - 133 MHz - PC2100.
J'ai tout essayé :
- visiter le site Chaintech où la FAQ et vide
- installer les modules sur les slots 1 et 2, puis inversés en 2 et 1 --> il y n'a toujours que 256 Mo de reconnus et pas 512 Mo
- lancer l'utilitaire EVEREST qui reconnait les 2 barrettes physiques (voir ci-dessous)
- lire tous les posts sur des problèmes similaires - aucune solution n'est donnée
J'hésite beaucoup à updater le Bios car je ne sais pas si c'est la solution, et je risque de générer d'autres problèmes
Merci de m'aider
A bientôt
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Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère 09/19/2002-VT8366-8233/5-IA6LVC1CC-00
Nom de la carte mère Chaintech 7VIA1/7VIL1
Propriétés du bus principal:
Type du bus DEC Alpha EV6
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz (DDR)
Horloge effective 267 MHz
Bande passante 2133 Mo/s
Propriétés du bus mémoire:
Type du bus DDR SDRAM
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz (DDR)
Horloge effective 267 MHz
Bande passante 2133 Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus VIA V-Link
Largeur du bus 8 bits
Horloge réelle 67 MHz (QDR)
Horloge effective 267 MHz
Bande passante 267 Mo/s
Informations physiques sur la carte mère:
Sockets/slots processeur 1 Socket 462
Slots d'expansion 3 PCI, 1 AGP, 1 CNR
Slots RAM 2 DDR DIMM
Périphériques intégrés Audio
Forme Micro ATX
Taille de la carte mère 230 mm x 240 mm
Chipset de la carte mère KT266A
Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Chaintech Computer Co Ltd.
Information sur le produit http://www.chaintech.com.tw/tw/eng/product_main.asp#MP13
Télécharger le BIOS http://www.chaintech.com.tw/tw/eng/Downloa...ate.asp?DCSNo=4
Mémoire
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Mémoire physique:
Total 255 Mo
Utilisé 190 Mo
Disponible 65 Mo
Utilisation 74 %
Zone de swap:
Total 1258 Mo
Utilisé 240 Mo
Disponible 1018 Mo
Utilisation 19 %
Mémoire virtuelle:
Total 1513 Mo
Utilisé 430 Mo
Disponible 1083 Mo
Utilisation 28 %
Physical Address Extension (PAE):
Supporté par le système d'exploitation Oui
Supporté par le processeur Oui
Active Non
Problèmes et suggestions:
Suggestion Installez davantage de mémoire système pour améliorer les performances des applications.
SPD
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[ DIMM1: Samsung M3 68L3223DTL-CB0 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L3223DTL-CB0
Numéro de série 08083863h
Taille du module 256 Mo (1 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM2: Nanya NT256D64S8HA0G-7K ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Nanya NT256D64S8HA0G-7K
Numéro de série Aucun(e)
Date de fabrication Semaine 38 / 2002
Taille du module 256 Mo (2 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 142 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Nanya Technology Corp.
Information sur le produit http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm