Bonjour, 
  
j'ai un problème de reconnaissance d'extension de RAM SAMSUNG DDR SDRAM 256 Mo (1 row-4banks) - 133 MHz - PC2100 en Cas 2.5 sur une carte mère Chaintech 7VIA1/7VIL1 (id : 09/19/2002-VT8366-8233/5-IA6LVC1CC-00) équipée d'origine d'une RAM NANYA DDR SDRAM 256 Mo (2 rows-4banks) - 133 MHz - PC2100. 
  
J'ai tout essayé : 
- visiter le site Chaintech où la FAQ et vide 
- installer les modules sur les slots 1 et 2,  puis inversés en 2 et 1 --> il y n'a toujours que 256 Mo de reconnus et pas 512 Mo 
- lancer l'utilitaire EVEREST qui reconnait les 2 barrettes physiques (voir ci-dessous) 
- lire tous les posts sur des problèmes similaires - aucune solution n'est donnée 
J'hésite beaucoup à updater le Bios car je ne sais pas si c'est la solution, et je risque de générer d'autres problèmes 
  
Merci de m'aider 
A bientôt 
  
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   Propriétés de la carte mère:   
   Identifiant de la carte mère   09/19/2002-VT8366-8233/5-IA6LVC1CC-00   
   Nom de la carte mère   Chaintech 7VIA1/7VIL1   
  
  Propriétés du bus principal:   
   Type du bus   DEC Alpha EV6   
   Largeur du bus   64 bits   
   Horloge réelle   133 MHz (DDR)   
   Horloge effective   267 MHz   
   Bande passante   2133 Mo/s   
  
  Propriétés du bus mémoire:   
   Type du bus   DDR SDRAM   
   Largeur du bus   64 bits   
   Horloge réelle   133 MHz (DDR)   
   Horloge effective   267 MHz   
   Bande passante   2133 Mo/s   
  
  Propriétés du bus chipset:   
   Type du bus   VIA V-Link   
   Largeur du bus   8 bits   
   Horloge réelle   67 MHz (QDR)   
   Horloge effective   267 MHz   
   Bande passante   267 Mo/s   
  
  Informations physiques sur la carte mère:   
   Sockets/slots processeur   1 Socket 462   
   Slots d'expansion   3 PCI, 1 AGP, 1 CNR   
   Slots RAM   2 DDR DIMM   
   Périphériques intégrés   Audio   
   Forme   Micro ATX   
   Taille de la carte mère   230 mm x 240 mm   
   Chipset de la carte mère   KT266A   
  
  Fabricant de la carte mère:   
   Nom de l'entreprise   Chaintech Computer Co Ltd.   
   Information sur le produit   http://www.chaintech.com.tw/tw/eng/product_main.asp#MP13   
   Télécharger le BIOS   http://www.chaintech.com.tw/tw/eng/Downloa...ate.asp?DCSNo=4   
  
  
Mémoire  
  
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  Mémoire physique:   
   Total   255 Mo   
   Utilisé   190 Mo   
   Disponible   65 Mo   
   Utilisation   74 %   
  
  Zone de swap:   
   Total   1258 Mo   
   Utilisé   240 Mo   
   Disponible   1018 Mo   
   Utilisation   19 %   
  
  Mémoire virtuelle:   
   Total   1513 Mo   
   Utilisé   430 Mo   
   Disponible   1083 Mo   
   Utilisation   28 %   
  
  Physical Address Extension (PAE):   
   Supporté par le système d'exploitation   Oui   
   Supporté par le processeur   Oui   
   Active   Non   
  
  Problèmes et suggestions:   
   Suggestion   Installez davantage de mémoire système pour améliorer les performances des applications.   
  
  
SPD  
  
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 [ DIMM1: Samsung M3 68L3223DTL-CB0 ]   
  
  Propriétés du module mémoire:   
   Nom du module   Samsung M3 68L3223DTL-CB0   
   Numéro de série   08083863h   
   Taille du module   256 Mo (1 rows, 4 banks)   
   Type du module   Unbuffered   
   Type de mémoire   DDR SDRAM   
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)   
   Largeur du module   64 bit   
   Voltage du module   SSTL 2.5   
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)   
   Taux de rafraîchissement   Réduit (7.8 us), Self-Refresh   
  
  Performances mémoire:   
   @ 133 MHz   2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)   
   @ 100 MHz   2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)   
  
  Fonctionnalités du module mémoire:   
   Early RAS# Precharge   Non géré   
   Auto-Precharge   Non géré   
   Precharge All   Non géré   
   Write1/Read Burst   Non géré   
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré   
   Registered Address/Control Inputs   Non géré   
   On-Card PLL (Clock)   Non géré   
   Buffered DQMB Inputs   Non géré   
   Registered DQMB Inputs   Non géré   
   Differential Clock Input   Géré   
   Redundant Row Address   Non géré   
  
  Fabricant du module mémoire:   
   Nom de l'entreprise   Samsung   
   Information sur le produit   http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm   
  
 [ DIMM2: Nanya NT256D64S8HA0G-7K ]   
  
  Propriétés du module mémoire:   
   Nom du module   Nanya NT256D64S8HA0G-7K   
   Numéro de série   Aucun(e)   
   Date de fabrication   Semaine 38 / 2002   
   Taille du module   256 Mo (2 rows, 4 banks)   
   Type du module   Unbuffered   
   Type de mémoire   DDR SDRAM   
   Vitesse de mémoire   PC2100 (133 MHz)   
   Largeur du module   64 bit   
   Voltage du module   SSTL 2.5   
   Méthode de détection d'erreurs   Aucun(e)   
   Taux de rafraîchissement   Normal (15.625 us), Self-Refresh   
  
  Performances mémoire:   
   @ 142 MHz   2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)   
   @ 133 MHz   2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)   
  
  Fonctionnalités du module mémoire:   
   Early RAS# Precharge   Non géré   
   Auto-Precharge   Non géré   
   Precharge All   Non géré   
   Write1/Read Burst   Non géré   
   Buffered Address/Control Inputs   Non géré   
   Registered Address/Control Inputs   Non géré   
   On-Card PLL (Clock)   Non géré   
   Buffered DQMB Inputs   Non géré   
   Registered DQMB Inputs   Non géré   
   Differential Clock Input   Géré   
   Redundant Row Address   Non géré   
  
  Fabricant du module mémoire:   
   Nom de l'entreprise   Nanya Technology Corp.   
   Information sur le produit   http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm